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AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  郝美兰
Adobe PDF(13279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：598/21  |  提交时间：2018/06/14