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II-VI族叠层太阳电池结构设计与材料工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  张理嫩
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Ii-vi族半导体  分子束外延  离子注入  计算模拟  P型掺杂  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, Qiumin;  Liu, Chao;  Cui, Lijie;  Zhang, Linen;  Zeng, Yiping
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p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25
发明人:  刘超;  张理嫩;  杨秋旻;  崔利杰;  曾一平
Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：748/98  |  提交时间：2014/11/17