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集成天线的氮化镓基高电子迁移率晶体管太赫兹波探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  张博文
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Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/AlN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors 期刊论文
CHIN. PHYS. LETT., 2015, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 127301
Authors:  Yan Jun-Da;  Wang Quan;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Jiang Li-Juan;  Yin Hai-Bo;  Feng Chun;  Wang Cui-Mei;  Qu Shen-Qi;  Gong Jia-Min;  Zhang Bo;  Li Bai-Quan;  Wang Zhan-Guo;  Hou Xun
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低维Ⅲ族氮化物材料生长及团簇散射研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
Authors:  刘长波
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Total Dose Radiation-Hard 0. SOI CMOS Transistors and ASIC 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1750-1754
Authors:  Xiao Zhiqiang;  Hong Genshen;  Zhang Bo;  Liu Zhongli
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
Inventors:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
Inventors:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
Inventors:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
Inventors:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
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光开关阵列模块倒装焊的封装方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  张博;  邢界江;  余金中;  俞育德
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光开关阵列模块与切角光纤阵列的封装方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  张博;  李显尧;  李智勇;  俞育德
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