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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Zhang HY;  Zhou GY;  Li TF;  Liu JQ;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
Adobe PDF(1941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1621/395  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY;  Chen YH;  Zhou XL;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
Adobe PDF(398Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1182/353  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Jin P;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Lund Univ, SE-22100 Lund, Sweden. E-mail: albertjefferson@sohu.com
Adobe PDF(183Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1274/444  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Jin P;  Liang LY;  Ye XL;  Wang ZG;  Martinez AI;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(729Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：938/246  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Ye XL;  Wang ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: penjin@red.semi.ac.cn
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Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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Short-period Superlattices  Raman-scattering  Quantum-wells  Growth  Roughness  Segregation  Alas/gaas  Alas  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Xu B;  Jin P;  Meng XQ;  Li CM;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YC;  Huang CJ;  Xu B;  Ye XL;  Ding D;  Wang JZ;  Li YF;  Liu F;  Wang ZG;  Zhang YC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Sun ZZ;  Liu FQ;  Wu J;  Ye XL;  Ding D;  Xu B;  Liang JB;  Wang ZG;  Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Self-assembled Quantum Dots  Inp Substrate  High Index  Mbe  In(Ga  Molecular-beam-epitaxy  Al)as/inAlas/inp  Vapor-phase Epitaxy  Gaas  Islands  Photoluminescence  Inp(001)  Growth  Lasers  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun S;  Wu J;  Liu FQ;  Zu HZ;  Chen YH;  Ye XL;  Jiang WH;  Xu B;  Wang ZG;  Sun S,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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