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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
Adobe PDF(15211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:607/39  |  提交时间:2017/06/05
Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘广政
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Gaas/si  Gaas/ge  两步法  四步法  量子点  激光器  
硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  何超
Adobe PDF(7728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:830/54  |  提交时间:2016/06/02
Si 基发光器件  Ge/si 量子点  Ge/sige 量子阱  Ge 薄膜  
快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  温娟娟
Adobe PDF(8079Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:905/45  |  提交时间:2015/06/01
Goi  Rmg  光致发光  晶格旋转  Si-ge互扩散  
无权访问的条目 学位论文
作者:  李冲
Adobe PDF(6685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:900/62  |  提交时间:2014/06/03
硅基垂直纳米线结构热电器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  王珍
Adobe PDF(4272Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:845/31  |  提交时间:2014/05/29
Si纳米线  Si-ge核壳结构纳米线  热电优值  塞贝克系数  热导率  
无权访问的条目 学位论文
作者:  周旭亮
Adobe PDF(10427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:913/108  |  提交时间:2014/05/28