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Studies of 6H-SiC devices 会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:  Wang SR;  Liu ZL;  Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：839/0  |  提交时间：2010/11/15
Sic  Schottky  Pn Junction Diodes  Mos Capacitor  Junction Diodes