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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Li T
;
Zhao SZ
;
Zuo Z
;
Wang YG
;
Li GQ
;
Zhao SZ Shandong Univ Sch Informat Sci & Engn Jinan 250100 Shandong Peoples R China. E-mail Address: shengzhi_zhao@sdu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li H
;
Wang Z
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Ke JY
;
Zhao YW
;
Wang Z Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. E-mail Address: wangz@whu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang Z
;
Zhang R
;
Xie ZL
;
Liu B
;
Li M
;
Fu DY
;
Fang HN
;
Xiu XQ
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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浏览/下载:1266/336
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li T
;
Zhao SZ
;
Zhuo Z
;
Wang YG
;
Zhao SZ Shandong Univ Sch Informat Sci & Engn Jinan 250100 Shandong Peoples R China. E-mail Address: shengzhi_zhao@sdu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding K (Ding, K.)
;
Zeng YP (Zeng, Y. P.)
;
Wei XC (Wei, X. C.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Wang JX (Wang, J. X.)
;
Lu HX (Lu, H. X.)
;
Cong PP (Cong, P. P.)
;
Yi XY (Yi, X. Y.)
;
Wang GH (Wang, G. H.)
;
Li JM (Li, J. M.)
;
Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu Y
;
Chen LH
;
Li YZ
;
Song GF
;
Wang YP
;
Zhuang WD
;
Long Z
;
Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xuyun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhuo, Z
;
Li, T
;
Wang, YG
;
Zhuo, Z, Shandong Univ, Shanda Luneng Informat & Technol Co Ltd, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhuozhuang@sdu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1998/557
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提交时间:2010/03/09
Algan
Gan Template
A1n Interlayer
Mocvd
Crack
Interference Fringes
AlGaN layers grown on AlGaN buffer layer and GaN buffer layer using strain-relief interlayers - art. no. 68410S
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Liu, NX
;
Yan, JC
;
Liu, Z
;
Ma, P
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Liu, NX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2260/749
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提交时间:2010/03/09
Algan
Ht-algan Buffer
Ht-interlayers
Ultraviolet (Uv) Led
High Quality AlGaN Grown on GaN Template with HT-AlN Interlayer
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, Z
;
Liu, NX
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Diodes