中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件            
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
Adobe PDF(497Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1270/187  |  提交时间：2009/06/11
一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  张广泽;  王启明
Adobe PDF(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1167/164  |  提交时间：2011/08/30