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| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1112/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种基于混合集成的光子晶体滤波器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩培德; 陆晓东; 全宇军; 叶志成; 窦金锋 Adobe PDF(405Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:988/135  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城 Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:937/165  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 焦春美; 于英仪; 赵凤瑗 Adobe PDF(661Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:967/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 赵凤瑗; 焦春美; 于英仪 Adobe PDF(665Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:886/154  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭瑜; 刘峰奇; 李成明; 刘俊岐; 王占国 Adobe PDF(766Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1091/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭瑜; 王春华; 刘俊岐; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1150/191  |  提交时间:2009/06/11 |