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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Zuo YH;  Wang W;  Tao YL;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, A35 QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. zhengjun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HW;  Hu WX;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zhao, HW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. hwzhao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  苏少坚;  汪巍;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华;  成步文;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Ding WC;  Xue CL;  Zuo YH;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Wang GL;  Guo HQ;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Stare Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhengjun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  薛海韵;  苏少坚;  白安琪;  罗丽萍;  俞育德;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  苏少坚;  汪巍;  胡炜玄;  张广泽;  薛春来;  左玉华;  成步文;  王启明
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一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  张广泽;  王启明
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