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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Y;  Ma WQ;  Huang JL;  Zhang YH;  Huo YH;  Cui K;  Chen LH;  Shi YL;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JL;  Ma WQ;  Wei Y;  Zhang YH;  Huo YH;  Cui K;  Chen LH;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huo YH;  Ma WQ;  Zhang YH;  Huang JL;  Wei Y;  Cui K;  Chen LH;  Ma, WQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China, wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huo YH (Huo Y. H.);  Ma WQ (Ma W. Q.);  Zhang YH (Zhang Y. H.);  Chen LH (Chen L. H.);  Shi YL (Shi Y. L.);  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XY (Liu Xiao-Yu);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Zhang YH (Zhang Yan-Hua);  Huo YH (Huo Yong-Heng);  Chong M (Chong Ming);  Chen LH (Chen Liang-Hui)
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两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  霍永恒;  马文全;  种明;  张艳华;  陈良惠
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电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  霍永恒;  马文全;  种明;  张艳华;  陈良惠
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