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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia CH (Jia Caihong);  Chen YH (Chen Yonghai);  Ding LH (Ding Linghong);  Zhang WF (Zhang Weifeng);  Zhang, WF, Henan Univ, Sch Phys & Elect, Kaifeng 475004, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfzhang@henu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL (Wang Yuanli);  Cui H (Cui Hua);  Lei W (Lei Wen);  Su YH (Su Yahong);  Chen YH (Chen Yonghai);  Wu J (Wu Ju);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanli.wang@axt.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高玉竹;  龚秀英;  陈涌海;  吴俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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