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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1223/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国 Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1256/138  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1207/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| Si 基ZnO 材料MOCVD 生长及物性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 范海波 Adobe PDF(4071Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:734/33  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: CAI Fangfang; WEI Hongyan; FAN Haibo; YANG Anli; ZHANG Panfeng; LIU Xianglin Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:855/232  |  提交时间:2010/11/23 |