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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Ying;  Han Weihua;  Yang Xiang;  Zhang Renping;  Zhang Yang;  Yang Fuhua
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang Xiang;  Han Weihua;  Wang Ying;  Zhang Yang;  Yang Fuhua
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通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  张扬;  刘剑;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜伟;  许兴胜;  韩伟华;  王春霞;  张杨;  杨富华;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏红振;  余金中;  张小峰;  韩伟华;  刘忠立;  王启明;  史伟;  房昌水
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A model of dislocations at the interface of the bonded wafers 会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:  Han WH;  Yu JZ;  Wang LC;  Wei HZ;  Zhang XF;  Wang QM;  Han WH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Wafer Bonding  Heteroepitaxy  Lattice Mismatch  Edge-like Dislocations  Thermal Stress  60 Degrees Dislocation Lines  Gaas  
一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201589.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  张严波;  赵凯;  杨富华
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