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一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周盛华;  吴南健;  杨志超
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一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周盛华;  吴南健
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步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨志超;  周盛华;  吴南健;  李美云
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低功耗射频识别标签芯片的研究和设计 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  周盛华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周盛华;  吴南健
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