一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器
周盛华; 吴南健
2008-06-18
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-12-13
语种中文
申请号200610165116
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4085
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
周盛华,吴南健. 一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器[P]. 2008-06-18.
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