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紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王鵫;  吴远大;  李建光;  王红杰;  安俊明;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai, YQ;  Yao, B;  Wei, ZP;  Li, YF;  Lu, YM;  Shen, DZ;  Zhang, JY;  Zhao, DX;  Fan, XW;  Li, JB;  Xia, JB;  Yao, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaobin196226@yahoo.com.cn;  jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song L (Song Li);  Ci LJ (Ci Lijie);  Jin CH (Jin Chuanhong);  Tan PH (Tan Pingheng);  Sun LF (Sun Lianfeng);  Ma WJ (Ma Wenjun);  Liu LF (Liu Lifeng);  Liu DF (Liu Dongfang);  Zhang ZX (Zhang Zengxing);  Xiang YJ (Xiang Yanjuan);  Luo SD (Luo Shudong);  Zhao XW (Zhao Xiaowei);  Shen J (Shen Jun);  Zhou JJ (Zhou Jianjun);  Zhou WY (Zhou Weiya);  Xie SS (Xie Sishen);  Xie, SS, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: ssxie@aphy.iphy.ac.cn
Adobe PDF(1175Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：976/307  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye ZC;  Han PD;  Zhao CH;  Wang HJ;  Wu L;  Quan YJ;  Lu XD;  Hu XW;  Ye, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Qinghua E Rd,Jia 35, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yzhch@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XY;  Zhou ZP;  Tan PH;  Zhou JJ;  Song L;  Sun LF;  Jiang P;  Liu LF;  Zhao XW;  Luo SD;  Zhang ZX;  Liu DF;  Wang JX;  Gao Y;  Zhou WY;  Wang G;  Dou, XY, Chinese Acad Sci, Inst Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: wyzhou@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XY;  Zhou ZP;  Tan PH;  Song L;  Liu LF;  Zhao XW;  Luo SD;  Yan XQ;  Liu DF;  Wang JX;  Gao Y;  Zhang ZX;  Yuan HJ;  Zhou WY;  Xie SS;  Xie, SS, Chinese Acad Sci, Ctr Condensed Matter Phys, Inst Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: xydou@aphy.iphy.ac.cn;  ssxie@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YC;  Zhao XW;  Fu GS;  Peng YC,Hebei Univ,Coll Elect & Informat Engn,Baoding 071002,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾雄文;  陆启生;  马丽芹;  赵伊君
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Zhang M;  Wang YS;  Bai XW;  Zhao J;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Residual donors in undoped LEC InP 会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Sun TN;  Lin LY;  Wu XW;  Guo WL;  Wu X;  Bi KY;  Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Indium-phosphide  Carbon  Defects  Growth