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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  叶志仙;  刘兴昉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL (Zhou X. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Jia CH (Jia C. H.);  Ye XL (Ye X. L.);  Xu B (Xu Bo);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouxl06@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL (Zhou X. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu JQ (Liu J. Q.);  Jia CH (Jia C. H.);  Zhou GY (Zhou G. Y.);  Ye XL (Ye X. L.);  Xu B (Xu Bo);  Wang ZG (Wang Z. G.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JL (Yu J. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Ye XL (Ye X. L.);  Jiang CY (Jiang C. Y.);  Jia CH (Jia C. H.);  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YS (Peng Y. S.);  Xu B (Xu B.);  Ye XL (Ye X. L.);  Niu JB (Niu J. B.);  Jia R (Jia R.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL (Zhou X. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu JQ (Liu J. Q.);  Xu B (Xu B.);  Ye XL (Ye X. L.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
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A simple wavelength-locking scheme of a tunable three-electrode distributed Bragg reflector laser for multiple ITU channel application in C band 会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7844: Art. No. 784410 2010, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-19, 2010
作者:  Ye N (Ye Nan);  Liu Y (Liu Yang);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国余;  张冶金;  李小健;  田立林
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