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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang ZC;  Huang AP;  Yan L;  Xiao ZS;  Zhang XW;  Chu PK;  Wang WW;  Huang AP Beihang Univ Dept Phys Beijing 100191 Peoples R China. E-mail Address: aphuang@buaa.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Don XM;  Sun BQ;  Huang SS;  Ni HQ;  Niu ZC;  Yang FH;  Jia R;  Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
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