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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Zhang Z
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Zhang R
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Xie ZL
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Liu B
;
Li M
;
Fu DY
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Fang HN
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Xiu XQ
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
张曾
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张荣
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谢自力
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刘斌
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修向前
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李弋
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傅德颐
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陆海
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陈鹏
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韩平
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汤晨光
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陈涌海
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王占国
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang Z
;
Zhang R
;
Xie ZL
;
Liu B
;
Xiu XQ
;
Li Y
;
Fu DY
;
Lu H
;
Chen P
;
Han P
;
Zheng YD
;
Tang CG
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Wang H
;
Jiang DS
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Zhu JJ
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Zhao DG
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Liu ZS
;
Wang YT
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Zhang SM
;
Yang H
;
Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Z
;
Zhang, R
;
Liu, B
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Han, R
;
Lu, H
;
Zheng, YD
;
Chen, YH
;
Tang, CG
;
Wang, ZG
;
Zhang, R, Nanjing Univ, Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Zhang, R, Nanjing Univ, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王元立
;
吴巨
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金鹏
;
叶小玲
;
张春玲
;
黄秀颀
;
陈涌海
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄秀颀
;
刘峰奇
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提交时间:2009/06/11
多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
车晓玲
;
刘峰奇
;
黄秀颀
;
雷文
;
刘俊岐
;
路秀真
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提交时间:2009/06/11
InP基应变补偿量子线阵列及其织构纳米衍射光栅研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
黄秀颀
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浏览/下载:737/23
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提交时间:2009/04/13
一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
车晓玲
;
刘峰奇
;
黄秀颀
;
雷文
;
刘俊岐
;
王占国
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提交时间:2009/06/11