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制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高兴国;  刘超;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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