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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao FB;  Chen NF;  Zhang XW;  Wang Y;  Liu L;  Yin ZG;  Wu JL;  Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fbgao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin ZG (Yin Zhigang);  Chen NF (Chen Nuofu);  Dai RX (Dai Ruixuan);  Liu L (Liu Lei);  Zhang XW (Zhang Xingwang);  Wang XH (Wang Xiaohui);  Wu JL (Wu Jinliang);  Chai CL (Chai Chunlin);  Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao FB (Gao Fubao);  Chen NF (Chen NuoFu);  Liu L (Liu Lei);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wu JL (Wu Jinliang);  Yin ZG (Yin Zhigang);  Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fbgao@semi.ac.cn
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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨霏;  尹志岗;  柴春林;  吴金良
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磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  尹志岗;  杨霏;  陈诺夫;  吴金良;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CT;  Chen NF;  Wu JL;  Yin ZG;  Yu Y;  Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ctpeng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  薛俊明;  刘志钢;  孙钟林;  周伟;  赵颖;  吴春亚;  李桂华
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