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二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析 期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 10, 页码: 7073-7077
Authors:  彭银生;  叶小玲;  徐波;  牛洁斌;  贾锐;  王占国;  梁松;  杨晓红
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GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  梁凌燕;  叶小玲;  徐波;  陈涌海;  王占国
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具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李凯;  叶小玲;  王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充 期刊论文
光谱学与光谱分析, 2007, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 2178-2181
Authors:  贾国治;  姚江宏;  张春玲;  舒强;  刘如彬;  叶小玲;  王占国
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Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4930-4935
Authors:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
Adobe PDF(408Kb)  |  Favorite  |  View/Download:862/250  |  Submit date:2010/11/23
利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李凯;  叶小玲;  王占国
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纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 2006
Authors:  王占国;  陈涌海;  叶小玲
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GaAs基上的InAs量子环制备 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 432-435
Authors:  李凯;  叶小玲;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(419Kb)  |  Favorite  |  View/Download:754/281  |  Submit date:2010/11/23