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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [13]
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徐波 [3]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊影响因子降序
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
金鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王智杰
;
王占国
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浏览/下载:1561/236
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备量子环结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王占国
Adobe PDF(492Kb)
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浏览/下载:1430/216
  |  
提交时间:2009/06/11
具有光伏效应和电致发光双重功能的器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘俊朋
;
曲胜春
;
王占国
Adobe PDF(351Kb)
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浏览/下载:1077/192
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提交时间:2009/06/11
具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘俊朋
;
曲胜春
;
王占国
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浏览/下载:1098/186
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
王占国
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浏览/下载:1202/198
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提交时间:2009/06/11
一种制备六角有序FePt纳米颗粒阵列的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
屈盛
;
张兴旺
;
陈诺夫
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浏览/下载:968/144
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提交时间:2009/06/11
反胶束法制备有序FePt 纳米颗粒阵列及其特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:
屈盛
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浏览/下载:861/20
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提交时间:2009/04/13
利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
徐波
;
张春林
;
王占国
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浏览/下载:1156/183
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JP (Liu Jun-Peng)
;
Qu SC (Qu Sheng-Chun)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Xu Y (Xu Ying)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Liang LY (Liang Ling-Yan)
;
Wang ZJ (Wang Zhi-Jie)
;
Zhou HY (Zhou Hui-Ying)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JP (Liu Jun-Peng)
;
Qu SC (Qu Sheng-Chun)
;
Xu Y (Xu Ying)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Wang ZJ (Wang Zhi-Jie)
;
Zhou HY (Zhou Hui-Ying)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1036/282
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提交时间:2010/03/29