|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang, Xingfei; Zhang, Yiyun; Pan, Dong; Yi, Xiaoyan; Zhao, Jianhua; Li, Jinmin
 Adobe PDF(2139Kb) |  收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2022/07/25 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Long, Jiangyou; Peng, Qingfa; Chen, Gaopan; Zhang, Yuliang; Xie, Xiaozhu; Pan, Guoshun; Wang, Xiaofeng
Adobe PDF(16350Kb) | 收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2022/05/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lei Wang ; Zhangxu Pan; Bo Li ; Junjun Wang; Xiaojun Guan; Ju Wang; Ningyang Liu; Shufeng Wang; Xuewen Zhang; Rui Gu; Zheng Gong; Zhengjun Wei; Huiping Zhu; Naixin Liu; Binhong Li; Jiantou Gao; Yang Huang ; Mengxin Liu; Jianqun Yang; Xin
Adobe PDF(1285Kb) | 收藏 | 浏览/下载：59/0 | 提交时间：2021/06/28 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨其长; 徐志刚; 陈弘达; 泮进明; 魏灵玲; 刘文科; 周泓; 刘晓英; 宋昌斌
Adobe PDF(301Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1876/730 | 提交时间：2012/07/17 |
| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏
Adobe PDF(565Kb) | 收藏 | 浏览/下载：583/75 | 提交时间：2014/10/29 |
| 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 纪攀峰; 谢海忠; 郭恩卿; 马平; 张韵; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(603Kb) | 收藏 | 浏览/下载：494/3 | 提交时间：2016/08/30 |
| 倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 纪攀峰; 谢海忠; 梁萌; 马平; 张韵; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(510Kb) | 收藏 | 浏览/下载：631/2 | 提交时间：2016/08/30 |
