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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: P. Barate; S. H. Liang; T. T. Zhang; J. Frougier; B. Xu; P. Schieffer; M. Vidal; H. Jaffrès; B. Lépine; S. Tricot; F. Cadiz; T. Garandel; J. M. George; T. Amand; X. Devaux; M. Hehn; S. Mangin; B. Tao; X. F. Han; Z. G. Wang; X. Marie; Y. Lu; P. Renucci
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: S. Luo; H.M. Ji; F. Gao; F. Xu; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: F. Gao; S. Luo; H.M. Ji; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou GY (Zhou G. Y.); Chen YH (Chen Y. H.); Tang CG (Tang C. G.); Liang LY (Liang L. Y.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhou, GY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Meng XQ (Meng X. Q.); Jin P (Jin P.); Liang ZM (Liang Z. M.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhang ZY (Zhang Z. Y.); Meng, XQ, Wuhan Univ, Key Lab Artificial Micro & Nano Struct, Minist Educ, Wuhan 430072, Peoples R China. mengxq@whu.edu.cn
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| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国
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| 窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人: 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川
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| 量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人: 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川
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| 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人: 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川; 王涛; 姚丹阳; 王占国
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