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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Alexander W. Bruch;  Xianwen Liu;  Xiang Guo;  Joshua B. Surya;  Zheng Gong;  Liang Zhang;  Junxi Wang;  Jianchang Yan;  Hong X. Tang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xianwen Liu;  Alexander W. Bruch;  Zheng Gong;  Juanjuan Lu;  Joshua B.Surya;  Liang Zhang;  Junxi Wang;  Jianchang Yan;  Hong X. Tang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW;  Wang GH;  Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn
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一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:682/114  |  提交时间:2014/10/31
用玻璃片组提高半导体激光叠阵快轴方向填充系数的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
发明人:  林学春;  郭渭荣;  侯玮;  陈凯;  王宝华;  梁浩;  王祥鹏;  李晋闽
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抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  刘娜;  孙雪娇;  孔庆峰;  梁萌;  王莉;  魏同波;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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