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一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张杨;  刘剑;  李艳;  杨富华
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光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan XT;  Zheng HZ;  Liu J;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Yang FH;  Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang JR;  Hu M;  Wang XD;  Li GK;  Ji A;  Yang FH;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Yang JL;  Li Y;  Ji A;  Yang FH;  Yu YD;  Yang JL Chinese Acad Sci Inst Semicond Qinghua Donglu A 35 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jlyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wen C;  Wang YM;  Wan W;  L, FH;  Liang JW;  Zou J;  Li, FH, Chinese Acad Sci, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Inst Phys, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: lifh@aphy.iphy.ac.cn;  j.zou@uq.edu.au
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁继然;  胡明;  王晓东;  李贵柯;  季安;  杨富华;  刘剑;  吴南健;  陈弘达
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