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Photoluminescence measurements on erbium-doped silicon 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Ou HY;  Wang QM;  Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Erbium-doped Silicon  Photoluminescence  Energy Transfer  
掺铒硅基发光研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1998
作者:  雷红兵
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Zhu JL;  Gao JH;  Wang HJ;  Wang QM;  Lei HB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  杨沁清;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  司俊杰;  杨沁清;  王红杰;  雷红兵;  滕达;  王启明;  刘学锋;  李建民
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  谢大;  吴瑾光;  徐端夫;  胡天斗;  周维金;  徐光宪;  王启明;  杨沁清;  雷宏兵
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  杨沁清;  王启明;  周必忠;  肖方方;  吴名枋
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