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一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  闫发旺;  高海永;  张 扬;  张会肖;  李晋闽;  曾一平;  王国宏 
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
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高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张扬;  闫发旺;  高海永;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  李晋闽
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光弹调制测量系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  张宏毅;  陈涌海;  高寒松
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渐变半径光子晶体发光二极管制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13, 2013-02-13
发明人:  许兴胜;  王华勇;  高永浩
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半导体材料微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人:  高寒松;  陈涌海;  张宏毅;  刘雨
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材料的微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  高寒松;  陈涌海;  刘雨;  张宏毅;  黄威;  朱来攀;  李远;  邬庆
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