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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1647-1651
Authors:  张春玲;  赵凤瑗;  徐波;  金鹏;  王占国
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