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高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  段垚;  崔军朋;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui, JP;  Wang, XF;  Duan, Y;  He, JX;  Zeng, YP;  Cui, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ypzeng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui JP;  Duan Y;  Wang XF;  Zeng YP;  Cui JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jpcui@semi.ac.cn
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