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化学气相传输法生长ZnO单晶 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 336-339
Authors:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 524-529
Authors:  赵有文;  董志远;  李成基;  段满龙;  孙文荣
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高质量InAs单晶材料的制备及其性质 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1391-1395
Authors:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 2127-2133
Authors:  赵有文;  董志远;  孙文荣;  段满龙;  杨子祥;  吕旭如
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升华法生长AlN体单晶初探 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 1241-1245
Authors:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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