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相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马慧莉;  王晓峰;  张加勇;  程凯芳;  王晓东;  季安;  杨富华
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应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091406.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓峰;  张加勇;  王晓东;  季安;  杨富华
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一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091398.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓峰;  张加勇;  王晓东;  季安;  杨富华
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