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一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
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硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
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硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
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一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(388Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：788/85  |  提交时间：2014/11/24