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利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
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一种利用非偏振光调控自旋极化电子的系统及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人:  马惠;  陈涌海;  蒋崇云;  刘雨
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基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  郭菲;  陆丹;  张瑞康;  王会涛;  王圩;  吉晨
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