中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
基于 InAsSb 体材料的高工作温度红外探测器研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  贾春阳
Adobe PDF(6737Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：254/4  |  提交时间：2023/07/03
氮化铝谐振式压电MEMS 加速度计研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  杨健
Adobe PDF(13476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：544/14  |  提交时间：2019/11/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨其长;  徐志刚;  陈弘达;  泮进明;  魏灵玲;  刘文科;  周泓;  刘晓英;  宋昌斌
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1876/730  |  提交时间：2012/07/17
发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1402/231  |  提交时间：2012/09/09
氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244159A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑怀文;  张逸韵;  吴奎;  杨华;  李璟
Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1427/231  |  提交时间：2012/09/09
透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨华;  王晓峰;  阮军;  王国宏;  曾一平
Adobe PDF(194Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1604/240  |  提交时间：2011/08/31
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1883/350  |  提交时间：2012/09/09
发光二极管封装结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1532/274  |  提交时间：2012/09/09