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一种片状材料厚度测量装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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一种晶片工艺卡具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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多线切割载荷控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯廉平;  王圩;  朱洪亮;  周帆;  王鲁峰;  边静
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选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  李宝霞;  张靖;  王圩
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半导体光电子功能材料集成技术平台 成果
2006
主要完成人:  王圩;  朱红亮;  赵玲娟;  周帆;  潘教青;  王宝军;  边静
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电子功能材料  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu YH (Zhu Y. H.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhu, YH, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhuyh@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang BQ (Wang B. Q.);  Zhu ZP (Zhu Z. P.);  Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang BQ (Wang B. Q.);  Zhu ZP (Zhu Z. P.);  Guo SL (Guo S. L.);  Chu JH (Chu J. H.);  Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Novel Mat Lab, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(195Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1028/276  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu B (Hu Bing);  Zhou X (Zhou Xia);  Tang Y (Tang Yan);  Gan HD (Gan Huadong);  Zhu H (Zhu Hui);  Li GR (Li Guirong);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Hu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hubing@red.semi.ac.cn;  hzzheng@red.semi.ac.cn
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