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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pang, JH (Pang, Jinhui);  Zhang, Q (Zhang, Qiang);  Yang, GW (Yang, Guowei);  Pang, JH, Beijing Inst Technol, Sch Management & Econ, Beijing 100081, Peoples R China. 电子邮箱地址: pangjinhui69@126.com;  qiangzhang@bit.edu.cn;  ygw_ustb@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun BQ (Sun Baoquan);  Jiang DS (Jiang Desheng);  Sun Z (Sun Zheng);  Ruan XZ (Ruan Xuezhong);  Deng JJ (Deng Jiajun);  Zhao JH (Zhao Jianhua);  Ji Y (Ji Yang);  Xu ZY (Xu Zhongying);  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng JJ;  Zhao JH;  Bi JF;  Niu ZC;  Yang FH;  Wu XG;  Zheng HZ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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