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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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发表日期:2006
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
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提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
蒋春萍
;
郑厚植
;
邓加军
;
杨富华
;
牛智川
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浏览/下载:1047/184
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提交时间:2009/06/11
能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
徐嘉东
;
李建明
;
杨占坤
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, Hui)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
;
Li, XY (Li, X. Y.)
;
Gong, HM (Gong, H. M.)
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma WQ (Ma W. Q.)
;
Sun YW (Sun Y. W.)
;
Yang XJ (Yang X. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
;
Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wqma@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Wang H (Wang H.)
;
Huang Y (Huang Y.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Wang LL (Wang L. L.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11