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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BY (Zhang Bingyuan);  Li G (Li Gang);  Chen M (Chen Meng);  Wang GJ (Wang Guoju);  Wang YG (Wang Yonggang);  Zhang, BY, Beijing Univ Technol, Coll Laser Engn, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: bingyuanzhang@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bingyuan Zhang;  Gang Li;  Meng Chen;  Guoju Wang;  Yonggang Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Bingyuan;  Li Gang;  Chen Meng;  Wang Guoju;  Wang Yonggang;  Ma Xiaoyu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Yonggang;  Ma Xiaoyu;  Zhang Bingyuan;  Chen Meng;  Li Gang;  Zhang Zhigang
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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Spectrum  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Meng XQ;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CM;  Liu FQ;  Zhang ZY;  Meng XQ;  Jin P;  Wang ZG;  Li CM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Yang CL;  Wei YQ;  Ye XL;  Jin P;  Li CM;  Meng XQ;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Meng XQ;  Zhang ZY;  Li CM;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Li YG;  Zhang CZ;  Pan SH;  Jin P,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Bingyuan;  Li Gang;  Chen Meng;  Wang Yonggang;  Zhang Zhigang
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