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自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘金龙;  李树深;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen CL;  Chen NF;  Liu LF;  Li YL;  Wu JL;  Chen, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan YW;  Qu SC;  Gao CX;  Han YH;  Luo JF;  Cui QL;  Liu J;  Zou GT;  Gao, CX, Jilin Univ, Inst Atom & Mol Phys, Natl Lab Superhard Mat, Changchun 130023, Peoples R China. 电子邮箱地址: cxgao@public.cc.jl.cn
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High performance resonant tunneling diode on a new material structure 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Wang JL;  Liu ZL;  Wang LC;  Zeng YP;  Yang FH;  Bai YX;  Wang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Resonant Tunneling Diode  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He, JL;  Fan, YX;  Du, J;  Wang, YG;  Liu, S;  Wang, HT;  Zhang, LH;  Hang, Y;  He, JL, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: htwang@nju.edu.cn
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