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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J;  Fang, GJ;  Li C;  Yuan, LY;  Ai L;  Liu NS;  Zhao DS;  Ding K;  Li GH;  Zhao XZ;  Fang, GJ, Wuhan Univ, Key Lab Acoust & Photon Mat & Devices, Minist Educ, Sch Phys Sci & Technol, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: gjfang@whu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JG;  Yeo YK;  Wang YX;  Xue LF;  Wang DW;  Rong WF;  Zhou LY;  Xiao GX;  Yu XJ;  Cheng TH;  Liu JG Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore Singapore. E-mail Address: jgliu@ntu.edu.sg;  ykyeo@ieee.org;  Wangyx@i2r.a-star.edu.sg;  lfxue@semi.ac.cn;  Wang0365@ntu.edu.sg;  wfrong@i2r.a-star.edu.sg;  Lzhou@i2r.a-star.edu.sg;  Egxxiao@ntu.edu.sg;  Ethcheng@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Xu Y (Xu Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liang LY (Liang Ling-Yan);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu J;  Wang YG;  Tian WM;  Gao LY;  He JL;  Ma XY;  Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail: jieliu@sdnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Wang ZG;  Liang LY;  Cheng BC;  Liu JP;  Peng WQ;  Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhouhy@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu J;  Gao LY;  Wang YG;  Tian WM;  He JL;  Ma XY;  Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail: jieliu@sdnu.edu.cn
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Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Wang ZG;  Liang LY;  Cheng BC;  Liu JP;  Peng WQ;  Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouhy@mail.semi.ac.cn
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Anodic Alumina Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Wang J;  Wang JH;  Liu ZL;  Lin LY;  Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novl Semicond Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qywang@red.semi.ac.cn
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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song SL;  Chen NF;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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