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n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓薇;  方高瞻;  马晓宇;  冯小明;  孙海东;  刘媛媛;  刘斌;  肖建伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓薇;  方高瞻;  王颖;  孙海东;  冯小明;  刘媛媛;  马骁宇;  肖建伟
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