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具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞烜;  王鹏;  王晓东
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n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui XD (Cui Xiao-Dong);  Shen SQ (Shen Shun-Qing);  Li J (Li Jian);  Ji Y (Ji Yang);  Ge WK (Ge Weikun);  Zhang FC (Zhang Fu-Chun);  Shen, SQ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sshen@hkucc.hku.hk
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