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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang AL;  Song HP;  Wei HY;  Liu XL;  Wang J;  Lv XQ;  Jin P;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁志梅;  吴巨;  金鹏;  吕雪芹;  王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1497/181  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng XQ;  Chen ZQ;  Jin P;  Wang ZG;  Wei L;  Meng, XQ, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: mengxq@whu.edu.cn
Adobe PDF(228Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1039/276  |  提交时间：2010/03/29
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Huang XQ;  Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1434/261  |  提交时间：2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Wang YL;  Huang XQ;  Zhao C;  Liu JQ;  Xu B;  Jin P;  Zeng YP;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ahleiwen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1051/343  |  提交时间：2010/04/11
Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(47Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1416/302  |  提交时间：2010/10/29
Spectrum  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Meng XQ;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1208/327  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CM;  Liu FQ;  Zhang ZY;  Meng XQ;  Jin P;  Wang ZG;  Li CM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(120Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：970/259  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Yang CL;  Wei YQ;  Ye XL;  Jin P;  Li CM;  Meng XQ;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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