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p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 学位论文
电子信息硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  杨军
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氮化铝MEMS谐振器关键技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  杨健
Adobe PDF(3486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：968/55  |  提交时间：2015/06/02
氮化铝  Mems  谐振器  有限单元法  压电系数测试  Icp刻蚀