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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  张广泽;  王启明
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