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一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  曾一平;  李晋闽
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降低磷离子注入（0001）取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  王雷;  赵万顺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜伟;  许兴胜;  孙增辉;  鲁琳;  高俊华;  赵致民;  王春霞;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  熊志刚;  孙增辉;  杜伟;  鲁琳;  陈弘达;  金爱子;  张道中
Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：888/268  |  提交时间：2010/11/23