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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin GJ (Gui-Jiang, Lin);  Zhou ZW (Zhou Zhi-Wen);  Lai HK (Lai Hong-Kai);  Li C (Li Cheng);  Chen SY (Chen Song-Yan);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Lin, GJ, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凯;  刘忠立;  于芳;  高见头;  肖志强;  洪根深
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李庚伟;  吴正龙;  邵素珍;  刘志凯
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